SK海力士第六代10纳米DDR5 DRAM震撼发布：速度较前代跃升11%，再创行业新高

8月29日消息，依据您分享的科技前沿资讯，我为您重新整理了SK海力士的这项重大技术突破：今日，SK海力士宣布了一项开创性成就，成功研发出全球首款运用第六代10纳米级（1c）尖端工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片。

SK 海力士强调：“随着 10 纳米级 DRAM 技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

SK 海力士以 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺。SK 海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能 DRAM 受到认可的 SK 海力士 1b 工艺优势转移到 1c 工艺。

而且，SK 海力士在部分 EUV 工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对 EUV 适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在 1c 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代 1b 工艺相比，其生产率提高了 30% 以上。

此次 1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少 30%。

SK海力士中国公司恢复正常经营状态，顺利退出市场监管异常名单

近日消息，SK海力士半导体（中国）有限公司在经历了短暂的经营状态异常后，已于7月15日正式被当地市场监管部门移出了经营异常名录。

此前，由于未能按时提交年度报告，该公司于7月初被列入了异常经营企业名单。不过，在及时履行了相关义务并提交了信用修复申请之后，SK海力士迅速恢复了其正常的企业运营状态，标志着其在中国市场的业务活动重新步入正轨。

报道称，SK 海力士于今年 7 月 5 日被列入异常经营名录，经核查，该公司已履行相关义务，在 7 月 15 日提出信用修复申请后，无锡国家高新技术产业开发区市场监管局当日将其移出经营异常名录。

查询获悉，SK 海力士半导体（中国）有限公司于 2005 年 4 月在江苏无锡投资设立，是韩国 SK 海力士株式会社的最大规模海外生产基地。该公司主要生产 DRAM，产品应用范围涉及服务器、智能手机、计算机、消费电子等领域。

今年 5 月消息称，SK 海力士子公司 SK 海力士系统集成电路拟向无锡产业发展集团有限公司转让所持有的 SK 海力士系统集成电路（无锡）有限公司 49.9% 股权。

SK 海力士系统集成电路于 2018 年从母公司独立，主要从事 8 英寸晶圆成熟制程代工业务，产品覆盖车用 PMIC、电视 DDI 等类别。韩媒认为，SK 海力士系统集成电路此举是为了加强无锡晶圆厂同中国市场的联系，扩大在中业务。

SK海力士宣布9月末启动12层HBM3E内存大规模生产，强化市场领导地位

近日消息，SK海力士社长金柱善在SEMICON大师论坛上发表了重要演讲。他强调，公司目前的8层HBM3E存储解决方案已稳居市场领导地位。更为引人注目的是，SK海力士宣布将于本月内正式启动其下一代12层HBM3E产品的量产进程，这一举措无疑将进一步巩固其在高速内存技术领域的前沿地位。

SK 海力士在 HBM 产品拥有全球最高的市占率，HBM3E 也是现今市面上最具主导地位的产品，预计本月就会推出 12 层堆叠的 HBM3E 产品，以因应 AI 服务器的庞大需求。

此外，SK 海力士也正在与台积电合作进行下一代 HBM4 的研发，将配合客户量产时间进行供货，预计将是首款在基础裸晶（Basedie）芯片上应用逻辑制程工艺生产的产品。

据此前报道，目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。