SK海力士宣布9月末启动12层HBM3E内存大规模生产，强化市场领导地位

近日消息，SK海力士社长金柱善在SEMICON大师论坛上发表了重要演讲。他强调，公司目前的8层HBM3E存储解决方案已稳居市场领导地位。更为引人注目的是，SK海力士宣布将于本月内正式启动其下一代12层HBM3E产品的量产进程，这一举措无疑将进一步巩固其在高速内存技术领域的前沿地位。

SK 海力士在 HBM 产品拥有全球最高的市占率，HBM3E 也是现今市面上最具主导地位的产品，预计本月就会推出 12 层堆叠的 HBM3E 产品，以因应 AI 服务器的庞大需求。

此外，SK 海力士也正在与台积电合作进行下一代 HBM4 的研发，将配合客户量产时间进行供货，预计将是首款在基础裸晶（Basedie）芯片上应用逻辑制程工艺生产的产品。

据此前报道，目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。

SK海力士领先发布UFS 4.1闪存新品，采用创新V9 TLC NAND技术

8月9日消息，SK海力士在FMS 2024峰会上披露了一系列存储创新产品，亮点之一是预告了即将面世但具体规格尚未公开的USF 4.1通用闪存。此消息源自该公司昨日的官方新闻稿，揭示了SK海力士在存储技术前沿的最新动态，引发行业内外广泛关注。

根据 JEDEC 固态技术协会官网，目前已公布的最新 UFS 规范是 2022 年 8 月的 UFS 4.0。UFS 4.0 指定了每个设备至高 46.4Gbps 的理论接口速度，预计 USF 4.1 将在传输速率方面进一步提升。

SK 海力士此次展示了两款 UFS 4.1 通用闪存，容量分别为 512GB 和 1TB，均基于 321 层堆叠的 V9 1Tb TLC NAND 闪存。

而在 V9 NAND 闪存上，SK 海力士不仅有展示已公布的 1Tb 容量、2.4Gbps 速率 TLC ，还首度展出了容量业界领先的 3.2Gbps V9 2Tb QLC 以及 3.6Gbps 高速 V9H 1Tb TLC 颗粒。

回到 UFS 通用闪存领域，SK 海力士还展出了可提升数据管理效率的 ZUFS（分区 UFS，Zoned UFS）样品，均基于 V7 512Gb TLC NAND，可提供 512GB 和 1TB。SK 海力士此前表示其 ZUFS 4.0 产品将于今年 3 季度进入量产阶段。

SK海力士推进中国无锡半导体工厂转型，启用第四代10纳米工艺提升产能

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。